高性能IGBT模块

著名的 IGBT 制造商 Semikron 将 TDK 直流支撑电容器集成到其新开发的 SkiiP^® 4 高功率模块中，该模块能够切换高达 kA 级的大电流。在此大电流条件下，直流支撑的漏电感会引发不必要甚至有害的电压过冲。为解决这个问题，TDK推出具有超低自感的缓冲电容器和直流支撑电容器。

TDK的最新开发成果帮助赛米控优化了SkiiP^® 4 IGBT模块的设计和性能。新型IGBT模块中采用无基板的直接铜键合 (DBC) 概念，配备高性能冷却器（散热片）。这样一来，由四个半桥组成的功率模块SKiiP2414GB17E4-4DUHP的电流开断能力提高了25%，能在1700 V的电压条件下轻松开断IGBT上明显高于2400 A的电流。